俄烏戰爭後俄羅斯被國際制裁，電子產業如需晶片恐被斷供，除左向中國購買外就必須自強自立，於是俄羅斯方面決定投入 52 億美元提升半導體製造技術，佢地目標並下貪心，只望2022年底先自行生產90nm 製程的晶片，再通過逆向工程抄襲法去到2030年前可以自產28nm 製程生產線。而相對起世界最高技術三星正在嘗試量產3nm晶片，不過目前量產技術未穩定良率低於30%。當然比較絕無意義，3納米同90納米應用等都完全唔同。對於俄羅斯遲來的晶片研發，到底係國家電子產業改革比較快還最國家領導層改過比較快？

中俄都積極自立擺脫對外國晶片依賴，務求做到自給自足，不過起點就好唔一樣，俄羅斯的起點係先攻90nm，並且話想自研X光原理光刻機。一般現今主流係使用EUV 光刻機技術同效率都較高。而俄羅斯的研發計劃之一係「逆向工程」方式，即係直接利用現今外國產品再通過拆解深入探研，再去追溯研究當中技術。簡單講即係「抄襲破解」！如今俄羅斯喺法理上已經完備，容許直接使用「不有好國家」的專利技術而毋需授權，呢舉可望推進俄羅斯國家的各種技術進展！唔知俄羅斯的「逆向工程」法可唔可以做到遲來先上岸？

相信以所謂逆向工程計，最簡單就係買入中國光刻機，而目前中國最先進的光刻機係上海微電子生產的600系列光刻機，其中SSX600系列光刻機最高能夠實現90nm工藝製程。同時其28nm的光刻機預計今年2022年年初交付使用，但由於疫情等因素暫時實際情況未明。此外90nm光刻機並不一定只能生產90nm製程的晶片？原來90nm光刻機經過兩次曝光，可以得到45nm的晶片，再經三次曝光最高可以達到22nm的水平。然而曝光次數越多，晶片的良品率就越低，所以一般情況下最多只能夠控制在28nm或者是32nm。相信可為俄羅斯全國奮進帶來一點概念！